♦设计参数
1 .定制化设计： 支持2.5μm〜10μm的金属镀层，薄膜电阻成型。
2.专长：
氧化铝纯度≥99. 5%和氮化铝纯度≥99. 9%,高纯度基板在高频率时，可以完成低消耗；具有精良的热传导性，强度及绝缘性的高品格氧化铝和氮化铝基板。
3.质料特征：
| 项目 | 单元 | 丈量值 |
| 导热系数 | W/m・K | 29 〜320 |
| 热收缩系数 | X10-6/K | 40~300°C&40~500°C&40~800°C |
| Q值 |
| > 10000 |
| 介电常数 | er | 9.8 @10GHz10.3 @1MHz |
4.用处：
过渡基板、陶瓷垫沉、 MPD载体； 电容垫片、背光垫片、薄膜电阻电容芯片、缩小器。
5. 体积电阻率:25°C···>1014Ω ·cm; 300°C···>1 014Ω ·cm;
500°C···>1010Ω ·cm;700°C···>107 Ω ·cm;
6. 金属化情势：陶瓷白片、单面金属化、 双面金属化、 三面金属化、四边金属化。
7.薄膜组成：Ni、Cr、Ti、TiW、N i V、NiCr、AL、Cu、Pt、Au 等。
♦设计指南
•质料：氧化铝含量＞99. 5%;氮化铝含量＞99. 9%
•根本尺寸：1 mm*1 mm〜50mm*50mm
•基板厚度：0. 2mm〜1.5mm
•粗研磨: 0. 25μm Ra Max
•镜面磨砂：0. 025μm Ra Max
