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深圳九游会登录平台芯半导体有限公司
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公司介绍

  深圳九游会登录平台芯半导体有限公司集半导体和光学工艺为一体,自主设计、加工AIN氮化铝、SiN氮化硅、Si硅基、BF33玻基金属化薄膜热沉、陶瓷Pcb电路,是通讯5G通讯、微波毫米波通讯、大功率LED照明、物联网智能设置装备摆设、汽车电子传感器、医疗成像、生物技能等范畴中光电模块、激光器/探测器/发射器、微波电路、IGBT/MOS模组测封拆卸不行短少的底子物料。

        中心工艺:光刻+溅射+Au70Sn30金锡焊料预堆积

         2020年10月,深圳九游会登录平台芯半导体有限公司完成在渝(重庆)全资增设重庆市金芯达电子科技有限公司(前面简称“金芯达电子”),以消费薄膜陶瓷集成电路产品、半导体光电器件使用陶瓷载体为底子,重点组建一批在军工半导体、微电子、光电子范畴抢先技能专业团队,与重庆理工大学共创共建“量子技能/集成传感器产学研用实行室”,探究与打破量子质料、集成传感器、微电子范畴要害课题及使用。

        九游会登录平台芯与金芯达电子退职职员20多人,此中传授2人,博士生3人,研讨生5人,初级技工4人。在公司团队中,已经在原单元:2人享用国度补助,屡次取得“光刻技艺交锋大赛”一等奖、两次取得工艺前进二等奖、七次国度部级一等奖、四次国度部级二等奖、六次国度部级三等奖,中心技能职员屡次掌管到场过国度“863”、国防“973”等国度重点科技项目、创新基金项目并屡次取得省部级科技效果奖项。公司承袭“发愤、实干、质朴、戴德”的企业理念,外部创立优秀机制,恭敬迷信器重人才,发扬团队互助精力,寻求杰出办事社会,把企业建立成为今世“守正创新”的新洼地。

        现在自主设计、研发和消费、加工产品凌驾30余种,产品依照ISO9001质量系统管控,满意Rohs尺度要求。

        详细产品有:大功率LED散热支架、电容垫片、PD热沉、MPD载体、过渡基板、封装基板、传感器等,可单层、双层、多层布线制造(LTCC),基板亦可单面、双面、多面金属化制造,公司拥有《陶瓷薄膜三面金属化制造工艺》等创造专利。

Ø  陶瓷基片厚度:0.15、0.25、0.3、0.38、0.5、0.635、0.8、1.0、1.2、1.5、2可选

Ø  载体质料:氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷、微晶玻璃、单晶硅、蓝宝石、铁氧系统列

Ø   金属膜层质料:Ni、Cr、Ti、TiW、NiV、NiCr、CrSi、Al、Cu、Pt、Au、Au70Sn30等

Ø  细金属条宽:2um

Ø   小线条间距:2um

Ø  小加工尺寸:0.2×0.2mm

Ø  溅射镀金:单面、双面、正面

Shenzhen KinKic Semiconductor Co., Ltd. is a company that integrates the special process technology of semiconductor and optoelectronic device production line. Through the in-depth development and combined application, it provides metallic film heat sink, carrier (gasket), gold-plating basilar plate and other special basic materials for the assembly of optical active devices and optical passive devices, the semiconductor laser components, detector components and transmitter components, and optoelectronic modules and microwave integrated circuit modules.

The main products of the company include backlight gasket, capacitor gasket, PD carrier, MPD carrier, transition basilar plate, ceramic heat sink, etc., and the company can make single-layer, double-layer and multi-layer wiring basilar plate and single-sided, double-sided and multi-sided metalized carriers. The company has a complete product production line and a purification workshop of more than 1000 square meters.

Ø  Ceramic substrate thickness: 0.15, 0.25, 0.3, 0.38, 0.5, 0.635, 0.8, 1.0, 1.2, 1.5 and 2, which are all optional.

Ø  Carrier materials: alumina ceramics, aluminum nitride ceramics, devitrified glass, monocrystalline silicon, sapphire, ferrite series. 

Ø  Metallic film materials: Ni, Cr, Ti, TiW, NiV, NiCr, CrSi, Al, Cu, Pt, Au, Au70Sn30, etc.

Ø  Thin metal strip width: 2um.

Ø  Spacing of small lines: 2um.

Ø  Small machining size: 0.2×0.2mm.

Ø  Sputtering gold plating: single side, double-side and lateral side.

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